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　　专利摘要ღღ✿✿：减小PP区空穴的SiC MOSFETღღ✿✿，涉及半导体技术领域ღღ✿✿。本实用新型在器件中P?body区下部和PP区底部的位置通过形成截止区的N+区ღღ✿✿，使器件PN结体二极管在续流过程中ღღ✿✿，作为截止区的N+区会将PP区的空穴截止ღღ✿✿，避免其进入到SiC Drift层用你的指尖扰乱我吧2ღღ✿✿。这样减小了PP区空穴与SiC Drift层电子发生复合ღღ✿✿，从而降低了器件的双极退化风险ღღ✿✿。

　　今年以来扬杰科技新获得专利授权37个用你的指尖扰乱我吧2ღღ✿✿，较去年同期增加了23.33%ღღ✿✿。结合公司2024年年报财务数据ღღ✿✿，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元ღღ✿✿，同比增19%ღღ✿✿。

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